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半導體

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氮化矽對熱、衝擊及撞擊具有高度抗性。卓越的耐熱性、抗衝擊性以及高強度，使得氮化矽成為高溫、高負載應用之優先選擇。本司鑽孔技術於厚度0.5 mm以下之材料，可鑽出入出口孔徑差近乎為零的直通孔，除了圓孔之外，方孔亦然。

技術現況：

現有技術、可直接代工、可接單

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技術窗口：	info@kjet.com.tw

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